憑借高解析度、高亮度、高對比度、高色彩飽和度、低功耗、反應速度快、厚度薄、壽命長等諸多優勢，Micro LED被認為是最具潛力的新型顯示技術之一。經過幾年的耕耘與沉淀， Micro LED新型顯示技術已取得了關鍵性突破。11月30日—12月1日，由四川省人民政府、工業和信息化部主辦的2022世界顯示產業大會在四川省成都市舉行。大會同期舉辦了“Mini/MicroLED顯示關鍵技術主題論壇”，論壇上，與會專家及企業家在肯定Micro LED發展前景的同時亦指出，Micro LED距離成功仍有幾步之遙，能否成為“最佳顯示技術”尚需要產業界合力跨越幾重難關。

Micro LED應用將分四個階段推進

Micro LED被認為是“終極顯示”解決方案，應用前景及其可創造的價值極具吸引力，商顯、高端TV、車載與可穿戴設備等應用新契機持續實現蓬勃發展，相關上下游產業正在重塑顯示生態圈。

成都辰顯光電有限公司總經理黃秀頎認為，玻璃基Micro LED顯示具有優異的性能和多變的功能，有望在商顯、高端TV、車載和可穿戴等領域獲得廣泛應用，市場潛力巨大。其新增設備、材料將成為產業發展重要機遇，并有望重塑顯示產業生態圈。Micro LED可以實現大尺寸自由拼接顯示應用，模塊化封裝和側壁走線等技術使得自由拼接成為可能。Micro LED也可以實現交互器件集成應用，未來的屏幕有望變成一個平臺，可通過傳感器實現交互等各種功能，突破“顯示”概念。器件層面的革新能夠帶來功能層面的革命，3D顯示、3D交互，再疊加5G、大數據等新興技術，未來全息顯示這一發展方向無疑令人激動。玻璃基Micro LED可覆蓋大中小尺寸產品應用領域，市場規模預計從2024年起高速增長，有望構建新的上下游產業生態鏈。

Micro LED大型顯示器歷經多年研發后，今年正式邁上量產里程碑，成為相關零組件、設備與制程發展中豐沛的推進動能。更多廠商的加入與持續微小化的發展趨勢，促使Micro LED產業不斷實現新的技術突破，市場規模也不斷擴大。

三安光電股份有限公司副總經理徐宸科在談及Micro LED顯示大屏市場及技術趨勢時表示，該市場具有持續增量。從LED直顯顯示技術來看，隨著應用領域的增加，整個顯示產業在向更小間距方向發展，轉移速度會更快且更有效率。作為Micro LED微間距顯示技術之一，fine pitch技術是連接背板與芯片的橋梁，未來將成為顯示大屏領域的主流技術。fine pitch產品在生產制造過程中同樣具備優勢。fine pitch產品在打件部分需要的時間更短，維修更加容易，可以在玻璃基和PCB上使用，還有助于擴展更小的點間距。產品優勢方面，由于fine pitch使用先進的Micro LED芯片，再疊加巨量轉移技術和先進封裝技術，因此與Mini LED相比具備更高的對比度和超廣可視角。總體而言，他認為fine pitch技術是目前最好的解決方案，可以加速Micro LED在大屏領域的商業化進程。

除大型顯示器之外，Micro LED具備可搭配柔性、可穿透背板的優異特性，有望在車用顯示與穿戴顯示中嶄露頭角，開創出一條與當前顯示技術與眾不同的應用新商機。而更多廠商的加入與持續微小化的發展趨勢，將是促使芯片成本持續下降的關鍵。

利亞德集團副總裁兼首席技術官盧長軍認為，Micro LED的應用分為幾個階段，其中第一階段和第二階段著重于商業應用領域，分別是更高分辨率的大尺寸商業顯示和更小空間（會議室）的商業應用。第三階段是在AR/VR、車載等需要更高分辨率和可靠性的領域。第四階段則是在成本敏感度更高的手機、平板等消費電子領域。預計Micro LED最終將向無襯底方向發展，芯片尺寸還將進一步縮小。從技術上講，未來大尺寸Micro LED顯示將不再追求間距的縮小，畢竟p0.4左右的間距已能夠滿足大部分拼接屏的應用要求。而極致的畫質、可靠性和穩定性將成為Micro LED發展的最大追求。比如，優秀的低灰表現、AM（有源矩陣）的無閃爍、更寬的色域及飽和度可能將成為利亞德的技術發展方向。從產品和應用端而言，Micro LED應用將不再拘泥于傳統拼接墻，利亞德將針對不同需求開發多樣化的產品，使技術真正服務于產品和應用。

Micro LED量產尚需邁過幾道坎

未來的顯示應該能夠解放雙手，將多種功能集中到屏上，實現交互。這就要求顯示必須具備高對比度、高PPI、高亮度，甚至是擴展現實。當前，Micro LED能夠滿足未來顯示產業的發展需求，但產業化進程仍有待提速。

康佳集團技術研發中心總經理林偉瀚表示，總體而言，Micro LED的產業化首先要實現芯片量產、性能持續優化；其次，巨量轉移需要結合修復才能實現產品的批量生產；再次，在驅動微電流條件下，Micro LED的生產效率還需要進一步提高；最后，產業生態仍在建設中，硬件成本需持續下降。

隨著Micro LED大尺寸顯示器正式開啟量產，巨量轉移方式逐步由現行的拾取方式邁向速度更快、利用率更高的激光雷射轉移方式，同步優化了Micro LED的制程成本。盡管如此，當前Micro LED仍面臨量產問題，生產性還有待提升。

東麗先端工程技術（上海）有限公司董事長兼總經理董剛表示，業界要考慮如何提高Micro LED的生產性，這其中就包括修復。電視中有上千萬LED，如果被轉移到基板上，即使良率能夠達到99.99%，最后需要修復的地方仍然很多，會花費很長時間。還要解決顯示器亮度不均勻的問題。另外，在量產速度、良率和成本方面，Micro LED與當前已經非常成熟的液晶相比仍不具備優勢。雖然業界已經在巨量轉移方面做了不少工作，但Micro LED距離真正實現量產仍有一段較長的路要走。巨量轉移主要有兩種技術，一種是Pick & Place，另一種是激光巨量轉移。在激光巨量轉移方面，東麗做了很多工作，正在研發相關材料與設備。

除基礎工藝能力外，玻璃基Micro LED也面臨著一些產業化挑戰。對此，黃秀頎總結為三大問題：一是顯示均一性問題；二是適用于Micro LED顯示的驅動架構問題；三是無縫拼接問題。黃秀頎表示，辰顯光電專注于玻璃基Micro LED顯示的技術研發和產業化，目前已在團隊、產線、技術、知識產權等方面進行了全面布局，希望與產業鏈合作伙伴協同創新，快速推動產業發展進程。

基于自身具備的微小尺寸，Micro LED也對檢測提出了更多挑戰。Inziv公司CEO David Lewis針對這點表示，在Micro LED產業發展早期，業界更加關注Micro LED的芯片微縮化、芯片設計、效率提高和巨量轉移等方面。但如今Micro LED的關鍵挑戰在于檢測、修復和亮度管理，Micro LED需要合適的設備來實現量產。當前Micro LED制造最根本的問題是極低的良率。針對導致其良率低下的結構缺陷、材料缺陷或熱缺陷，業界需要開發一種快速的EL（電致發光）解決方案，以實現對Micro LED缺陷的快速檢測。

繼液晶顯示之后，Micro LED是新一代顯示迭代技術的有力競爭者，Micro LED芯片無疑是其中的關鍵環節。據了解，Micro LED尺寸只有原來主流LED芯片的百分之一，達到幾十微米量級。由于芯片尺寸小，傳統的植球打線方式將嚴重降低芯片的發光比例，因此剝離掉藍寶石襯底的垂直結構就成為了Micro LED主流芯片結構。

上海芯元基半導體科技有限公司董事長郝茂盛表示，從LED到Mini LED，芯片技術、芯片工藝本質上并無較大差別，只是芯片尺寸在發生變化。Micro LED發展本質的變化是，不能通過藍寶石襯底的減薄劃裂來完成芯片分割，而是要把GaN芯片直接從藍寶石襯底上剝離下來。行業現有的襯底剝離技術只有激光剝離技術，這個技術本身是一個破壞性工藝，在國內不是非常成熟，這是Micro LED芯片面臨的第一個問題。第二個問題是Micro LED芯片的位錯密度問題，該問題對Micro LED芯片一致性的副作用非常大。最初GaN LED外延中的位錯密度高達1010，盡管位錯密度很高，但發光效率也很高。氮化鎵LED在日本產生之后，經過三十多年發展，工藝優化已走到天花板，位錯密度達到5×108。但由于現有LED技術位錯密度太高，發展Micro LED可能對后續產品發展有很大制約。因此，延續現有LED芯片技術并發展Micro LED要解決兩個問題。其一是進一步降低氮化鎵材料位錯密度，其二是找到一個比激光剝離技術更好的剝離技術。