?陜西監管局披露了國泰君安證券股份有限公司關于陜西源杰半導體科技股份有限公司（簡稱：源杰半導體）輔導備案申請報告。

資料顯示，源杰半導體聚焦光通信行業，主營業務為激光器芯片的研發、設計與銷售。公司產品主要應用于光纖到戶、數據中心與云計算、5G 移動通信網絡、工業物聯網等科技前沿領域，成功實現了2.5G、10G及25G分布反饋（DFB）激光器芯片的量產，并得到國內多家光通信行業公司認證通過。

憑借在DFB激光器芯片領域研發經驗和關鍵核心技術的多年積累，公司率先在國內量產25G DFB激光器芯片，形成國產化面向光纖到戶激光器芯片等產品，科技創新能力突出；公司產品的技術先進性、市場覆蓋率和性能穩定性位居行業前列。公司是國內領先的光通信激光器芯片制造商，為光纖到戶激光器芯片的領導者、 5G建設激光器芯片的引領者和數據中心與云計算接入芯片的開拓者。

公司主要產品為分布反饋（DFB）激光器芯片。DFB激光器芯片能夠將電信號轉化為光信號，屬于有源光芯片，是光發送器件的核心元件。DFB 激光器芯片廣泛應用于高速光信息傳輸領域，主要應用場景包括光纖到戶、4G/5G 無線基站、數據中心內部互聯等。公司產品還包括法布里-珀羅（FP）激光器芯片和大功率激光器芯片。

根據速率的不同，公司DFB 激光器芯片產品可分為2.5G DFB 激光器芯片、10G DFB 激光器芯片以及25G DFB 激光器芯片。具體情況如下所示：

目前，源杰半導體光芯片產品獲得下游客戶的高度認可，包括中際旭創、博創科技等國內知名光模塊廠商，高速率激光器芯片產品獲得通信設備商華為的驗證通過，并進入其供應鏈體系開始批量供貨。

在源杰半導體公布的三年營業數據中，2017年凈利潤虧損1797萬元。第二年源杰半導體扭虧為盈，實現凈利潤1725萬元；2019年實現盈利1360萬元。發行人預計2020 年凈利潤為正且營業收入不低于1 億元，2020 年預計市值不低于10 億元。

值得注意的是，華為旗下哈勃投資也對源杰半導體進行投資。據天眼查顯示，2020年9月，哈勃投資對源杰半導體進行投資，這是哈勃投資在西安投資的第1家半導體芯片企業。

哈勃投資是華為全資子公司，專注半導體芯片產業鏈投資。成立一年多以來，哈勃投資已經陸續投資了杰華特微電子、東微半導體、縱慧芯片、裕太微電子、山東天岳等18家企業，從其被投企業主要產品來看，覆蓋了第三代半導體（碳化硅）、晶圓級光芯片、電源管理芯片、時鐘芯片、射頻濾波器、人工智能等多個領域。

市場潛力大，9.5億元投資項目正在建設

5G當口，流量激增，為光通信賦予廣闊的市場空間——海量的數據需要高速光通信模塊，搭載高速激光芯片進行傳輸。根據工信部和中國電子元件行業協會發布《中國光電子器件產業技術發展路線圖（2018-2022年）》，明確部分高端光芯片產品逐步實現國產替代的目標。

隨著光通信行業的發展， 光器件的需求也不斷增長， 根據LightCounting 預測，2019 年至2023 年，全球光器件市場規模將從70 億美元增長至120 億美元，預計年均復合增長率為14.42%。

頭豹研究院研報顯示，2014年至2018年，我國光通信芯片行業市場規模從7.1億美元增長至12.9億美元，年均復合增長率約為16%，預計2021年將增長至23億美元。

目前，陜西源杰已經形成了MOCVD外延生長、晶圓生產，以及芯片全自動測試生產線。2020年6月，源杰半導體宣布實現量產12波25G MWDM激光器芯片，被視為業內一大突破。這一芯片將被用于5G基站CRAN前傳網絡建設中，以支持5G快速建設。去年2月，源杰半導體出資150萬美元，將與博創科技、Sicoya三方成立中外合資公司，提前為硅光子技術布局。

據了解，2021年1月8日，源杰半導體對位于西咸新區灃西新城的二期工廠——光電通訊半導體芯片和器件研發生產基地生產線及相關配套設施，正進行環評公示。園區占地面積約為2.5萬平方米，項目投資總額約9.5億元。項目建成后將形成晶圓制造——芯片制造連貫生產線，并具備封裝、測試研發等能力。