?宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）宣布推出80 V、12.5 A 的功率級(jí)集成電路，專為48 V DC/DC轉(zhuǎn)換而設(shè)計(jì)，用于具有高功率密度的運(yùn)算應(yīng)用及針對(duì)電動(dòng)車的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）推出全新集成電路(IC)系列的首個(gè)產(chǎn)品，為高功率密度應(yīng)用諸如DC/DC轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及D類放大器，提供更高性能及更小型化的解決方案。80 V、12.5 A功率級(jí)集成電路的尺寸為3.9 毫米 x 2.6 毫米 x 0.63 毫米。

北京2020年3月20日 /美通社/ -- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）宣布推出80 V、12.5 A 的功率級(jí)集成電路，專為48 V DC/DC轉(zhuǎn)換而設(shè)計(jì)，用于具有高功率密度的運(yùn)算應(yīng)用及針對(duì)電動(dòng)車的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。

 EPC2152是一個(gè)單芯片驅(qū)動(dòng)器并配以基于氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（eGaN? FET）、采用 EPC 專有的氮化鎵集成電路技術(shù)的半橋功率級(jí)。在單芯片上集成輸入邏輯界面、電平轉(zhuǎn)換電路、自舉充電電路、柵極驅(qū)動(dòng)器的緩沖電路及配置為半橋器件的輸出氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，從而實(shí)現(xiàn)芯片級(jí) LGA 封裝及細(xì)小的外形尺寸（3.9 毫米 x 2.6 毫米 x 0.63 毫米）。

當(dāng)48 V 轉(zhuǎn)到12 V 的降壓轉(zhuǎn)換器在1 MHz 的開(kāi)關(guān)頻率下工作，EPC2152 ePower 功率級(jí)集成電路可實(shí)現(xiàn)高于96% 的峰值效率，相比采用多個(gè)分立器件的解決方案，這個(gè)集成電路在 PCB 的占板面積少33%。其峰值效率比分立式 MOSFET 或基于單片 MOSFET 集成電路的功率級(jí)優(yōu)勝很多。

EPC2152 是該系列的首個(gè)產(chǎn)品。該系列在未來(lái)會(huì)進(jìn)一步推出采用芯片級(jí)封裝（CSP）及多芯片四方偏平模塊（QFM）的功率級(jí) IC。在未來(lái)一年內(nèi)將推出可在高達(dá)3至5 MHz 頻率范圍工作、每級(jí)功率級(jí)的電流可高達(dá)15 A 至30 A 的產(chǎn)品。

該產(chǎn)品系列使得設(shè)計(jì)師可以容易發(fā)揮氮化鎵技術(shù)的性能優(yōu)勢(shì)。集成多個(gè)器件在單芯片上，設(shè)計(jì)師可以更容易設(shè)計(jì)、布局、組裝、節(jié)省占板面積及提高效率。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司首席執(zhí)行官兼共同創(chuàng)辦人 Alex Lidow 說(shuō)：“分立式功率晶體管正在進(jìn)入它的最后發(fā)展階段。硅基氮化鎵集成電路可以實(shí)現(xiàn)更高的性能、占板面積更小，省卻很多所需工程?！?Alex 繼續(xù)說(shuō)：“這個(gè)全新功率級(jí)集成電路系列是氮化鎵功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的最新發(fā)展里程，從集成多個(gè)分立式器件，以至集成更復(fù)雜的解決方案都可以，從而實(shí)現(xiàn)硅基解決方案所不能實(shí)現(xiàn)的電路性能、使得功率系統(tǒng)工程師可以更容易設(shè)計(jì)出高效的功率系統(tǒng)。”

EPC90120是一塊半橋開(kāi)發(fā)板，其最高器件電壓是80 V、最高輸出電流為12. 5 A，內(nèi)含 ePower? 功率級(jí)集成電路（EPC2152）。該板的尺寸為兩英寸乘兩英寸（50.8 毫米乘50.8 毫米），可實(shí)現(xiàn)最優(yōu)開(kāi)關(guān)性能。開(kāi)發(fā)板包含所有重要元件，讓工程師容易對(duì) EPC2152 進(jìn)行評(píng)估。

ePower 功率級(jí)集成電路（EPC2152）及其開(kāi)發(fā)板 EPC90120 可以立即從 Digikey 公司購(gòu)買（http://www.digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en ）。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司是基于增強(qiáng)型氮化鎵的功率管理器件的領(lǐng)先供貨商，為首家公司推出替代功率 MOSFET 器件的硅基增強(qiáng)型氮化鎵（eGaN ）場(chǎng)效應(yīng)晶體管及集成電路之一，其目標(biāo)應(yīng)用包括直流- 直流轉(zhuǎn)換器、 無(wú)線電源傳送、 包絡(luò)跟蹤、射頻傳送、功率逆變器、激光雷達(dá)（LiDAR） 及 D類音訊放大器等應(yīng)用，器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。此外，宜普公司正在擴(kuò)大基于 eGaN IC 的產(chǎn)品系列，為客戶提供進(jìn)一步節(jié)省占板面積、節(jié)能及節(jié)省成本的解決方案。詳情請(qǐng)?jiān)L問(wèn)宜普的網(wǎng)站，網(wǎng)址為 www.epc-co.com.cn。eGaN? 是 Efficient Power Conversion Corporation 宜普電源轉(zhuǎn)換公司的注冊(cè)商標(biāo)。