11月30日晚上，荷蘭費爾德霍芬的一個科技園區發生火災，ASML的一家供應商Prodrive遭受了重創，部分廠房與倉庫遭受波及。12月3日，ASML發表聲明稱：“Prodrive供應ASML的部分電子元件和模組，ASML初步評估至2018年底的出貨計劃不變，但預期部分2019年初的出貨將受影響。”ASML還表示需要幾周的時間詳細評估該事件對公司的影響。

ASML目前已開始協助Prodrive重啟生產，同時ASML也已與其他供應商接洽，以確保相關組件和材料的替代來源供應無虞。

12月作為2018年最后一個月，2018的訂單備貨出貨基本肯定不會受影響，那么對于2019年，具體會影響哪些企業呢？

ASML加快極紫光外光刻研發步伐

早在2013年，ASML就披露說，他們將按計劃在2015年提供450毫米晶圓制造設備的原型，Intel、三星電子、臺積電等預計將在2018年實現450毫米晶圓的商業性量產，與此同時，極紫外（EUV）光刻設備也進展順利，將在今年交付兩套新的系統。并且ASML在一份聲明中稱：“在客戶合作投資項目的支持下，我們已經完成了用于極紫外、沉浸式光刻的450毫米架構的概念設計，將在2015年交貨原型，并兼容2018年的量產，當然如果整個產業來得及的話。”

歷史上每次擴大晶圓尺寸都會將可用面積增加30－40％，芯片成本也有相應的降低，300毫米過渡到450毫米同樣如此，所以為了使用更先進的制造工藝和極紫外光刻技術，450毫米晶圓勢在必行，但隨著尺寸的增大，晶圓制造的難度也是指數級增長，因此450毫米晶圓提了很多年了，但至今仍然沒能投入實用。

ASML為推進、加速研發450毫米晶圓和極紫外光刻技術，受到刺激的ASML還耗資25億美元收購了關鍵的光學技術提供商Cymer，加快極紫外光刻進展。

為什么說光刻機對晶圓廠至關重要

光刻設備是一種投影曝光系統。在半導體制作過程中，光刻設備會投射光束，穿過印著圖案的掩模及光學鏡片，將線路圖曝光在帶有光刻膠的硅晶圓上；通過光刻膠與光的反應來形成溝槽，然后再進行沉積、蝕刻、摻雜，架構出不同材質的線路。

其中掩膜版上面會有很多的布線，形成溝槽以后在里面會布很多的二極管、三極管等，來形成不同的功能。單位面積上布的線越多，能夠實現的功能就越多，效能也越高，耗能越少。

當然，并不是每個晶圓廠都必須配置光刻機，當自身產能不是很大或者生產中耗能太高、產生環境污染的時候，這部分的需求可以轉移到晶圓代工廠去。美國現在的發展趨勢是，由于高耗能、有污染所以自己不生產，把先前很多工廠轉移到了臺灣。臺灣由于地域限制，工廠主要集中在新竹，污染、能耗都很大，所以也想把設備轉移到大陸廠商，如中芯國際、臺積電南京等。

一個12寸廠每月的產能大約是8－9萬片，這已經是很高的水平了，換算到光刻機的產能大約是每天3000片，實際中效率可能每小時110－120片。涂膠的速度是制約光刻機生產效率的核心因素，涂膠機目前主要被日本的DNS和TEL壟斷。

除了生產線以外，晶圓廠的研發部門也需要光刻機。

半導體國產化，工藝制程設備有待突破

隨著AI芯片、5G芯片、汽車電子、物聯網等下游的興起，全球半導體行業重回景氣周期。行業預計全球將于2020年前投產62座半導體晶圓廠，其中26座設于中國大陸（其中10座是12寸廠），中國大陸預計于2019年成為全球設備支出最高地區，為國產半導體設備的崛起提供了發展機會。

從設備需求端測算，2018－2020年國產晶圓制造設備市場空間增速分別為54％，78％和97％，2018－2020年累計市場空間達250億元，CAGR 為87％。

從興建晶圓廠投資端測算，2018－2020年國產晶圓制造設備市場空間增速分別為157％， 94％和31％， 2018－2020年累計市場空間387億元，CAGR 為59％。平均每年超百億的市場空間在機械行業中難得一見。

2016年全球半導體專用設備前十名制造商（美國應用材料，荷蘭ASML等）的銷售規模達到了379億美元，市占率高達92％。而中國半導體設備前十名制造商的銷售額約7．3億美元，在收入規模上差距大，其根本原因還是來自技術上的差距。

目前我國半導體設備自制率不足15％，且集中于晶圓制造的后道封測，前道工藝制程環節的關鍵設備如光刻機、刻蝕機、薄膜沉積等仍有待突破，且晶圓制造等設備在采購中面臨國外企業的技術封鎖，全面國產化是必然選擇。

隨著這兩年，中國晶圓廠進入了投資擴產熱潮。中國大陸的半導體產業正在繼續以驚人的速度擴張。據統計，2019年在中國就有將近20個新開工的晶圓制造廠建設項目。

在晶圓廠制造中，光刻決定了半導體線路的精度，以及芯片功耗與性能，相關設備需要集成材料、光學、機電等領域最尖端的技術，被譽為是半導體產業皇冠上的明珠。單臺設備價格在2000萬美金以上，是中國半導體設備最需突破的環節之一。

結語

目前，除了ASML，其他廠商在EUV方面，尼康和佳能在一開始有先發優勢，但只能達到42nm，尼康在日本本土能達到28nm。而上海微電子，在技術上來說只能做到8寸廠的工藝，并且在工藝的重復性以及光源上還相差甚遠，暫時無法達標。

8寸晶圓一般是65nm級別的技術，主要應用于較為低端的芯片裝置，比如物聯網、汽車電子、部分顯卡等。對顯卡消耗較大的區塊鏈也一定程度上拉動了對8寸晶圓的需求。12寸晶圓一般用于高端的邏輯芯片（CPU＼GPU等）和存儲芯片（DRAM＼NAND等），終端下游為個人電腦、智能手機等。

因此從整體上看，中國在8寸設備上取得了一些進步，正在向12寸發展，但這條路還很長。而在光刻環節國內還無法做到。就目前來說，中國新建晶圓廠，到時候沒有光刻機供應的話，是有很大影響的。