半導體激光具有高效率，體積小，壽命長，電源驅動系統簡單，波長可選擇，成本低，輸出功率穩定，使用簡便，創傷小，患者術后反應小等優點，特別適用于醫療設備。第一臺半導體激光器發明于1962年，半導體激光從20世紀90年代中期開始用于口腔治療，常用低功率，波長為780～980nm的激光進行牙周治療。

通過激光的照射可以切除和消融牙周組織，激光有止血，光生物調節的作用，能破壞并抑制微生物生長。現在半導體激光在牙周病的臨床治療中起到越來越重要的作用。半導體激光器以半導體材料為工作物質，主要是化合物半導體，以電流注入為激勵方式的一種小型的激光器。

半導體激光器的三個基本要素包括：①p－n結區的電子－空穴復合，提供光的增益；②垂直于結的兩個解理端面形成F－P諧振腔，提供反饋；③正向偏置p－n結提供載流子的注入。本文將就半導體激光在牙周治療中的臨床應用進行綜述。

1．半導體激光在牙周治療的臨床應用

Kocak應用牙周基礎治療伴半導體激光治療或單純應用牙周基礎治療慢性牙周炎伴Ⅱ型糖尿病患者，比較兩組間治療效果。評價如下指標：齦溝液中的IL－1β，IL－6，IL－8，細胞間粘附分子（intercellular adhesionmolecule，ICAM），血管細胞粘附分子（vascular celladhesion molecule， VCAM）以及糖化血紅蛋白（HbA1c）。試驗組應用牙周潔刮治和根面平整聯合半導體激光治療（scaling and root planning＋ diode laser， SRP＋DL），對照組應用牙周潔刮治和根面平整（scaling and rootplanning，SRP），測量基線水平以及治療后1個月，3個月后的牙周各項指標，HbA1c記錄基線及治療后3個月的水平，細胞因子及分子分析采用ELISA法，SRP＋DL組牙周袋深度和臨床附著水平改變優于SRP 組，齦溝液中IL－1β，IL－6，IL－8，ICAM，VCAM及HbA1c治療后兩組均明顯降低，且SRP＋DL 組優于SRP 組，有統計學意義。

Dukic的試驗為分口試驗，試驗側在潔刮治和根面平整后的第1天，第3天，第7天后應用980nm的半導體激光照射牙周袋，對照側僅進行潔刮治和根面平整。對基線，治療后6周，18周的中等深度牙周袋（4～6mm）和深牙周袋（7～9mm）分別進行統計學分析，評價指標包括菌斑指數（plaque index，PI），探針后出血（bleeding on probing， BOP），探針深度（probing depth，PD），和臨床附著水平（clinical attachment level，CAL）。結果表明，深牙周袋時治療后兩組之間沒有統計學差異；中等深度牙周袋，治療后除了PD試驗組優于對照組，其他指標也沒有統計學差異。該試驗表明980nm的半導體激光只對中等深度牙周袋探診深度改善有作用。

Qadri的meta分析中包含了10篇臨床研究，均采用刮治和根面平整的牙周基礎治療聯合半導體激光（810nm～980nm）治療慢性牙周炎，5篇文章顯示牙周基礎治療聯合半導體激光治療效果明顯優于單純牙周基礎治療。2篇文章顯示治療后炎癥得到有效減少，3篇文章顯示兩種治療方式沒有明顯差異。在這幾個臨床試驗中，光纖的直徑范圍300μm～2mm，激光的波長為810～980nm，強度為0．8～2．5W，脈沖重復頻率為10～60Hz，激光的使用時間10～100ms。這篇Meta分析表明：在慢性牙周炎患者中，對于探診深度≤5mm的牙周袋，根面平整聯合半導體激光（800～980nm）治療效果優于單純的根面平整。

國內的一些研究也表明半導體激光聯合牙周基礎治療可有效去污，達到良好的清創效果，對于手工器械難以達到的部位，聯合半導體激光的治療效果優于單純的牙周基礎治療。半導體激光聯合牙周基礎治療可以徹底清潔，去污，增加組織反應以利于后續的創口愈合。對于中等深度的牙周袋（4～6mm）和手工器械難以達到的部位，半導體激光聯合牙周基礎治療效果更為明顯。

2．半導體激光用于牙周手術治療

Ozcelik通過冠向復位瓣聯合上皮下結締組織治療牙齦退縮的患者，試驗組應用半導體激光去除游離齦的上皮組織獲得上皮下結締組織并用激光照射腭部的傷口。對照組應用手術刀片將游離齦的上皮組織去除獲得上皮下結締組織。術后7d觀察腭部供區傷口的愈合情況，試驗組優于對照組。6個月后受區的愈合，兩組之間沒有明顯差別。說明使用半導體激光可以促進軟組織的早期愈合。Lobo采取分口試驗研究中度到重度慢性牙周病患者，術前探診深度≥5 mm，試驗側采用翻瓣術＋半導體激光聯合治療，對照側采用翻瓣術，比較試驗側和對照側的基線，術后3個月，術后6個月的牙周指數及患者術后的不良反應。結果顯示兩組之間沒有統計學差異，但試驗組牙齦炎癥顯著下降，激光治療沒有并發癥，患者可以接受激光治療。

國內的一些研究將半導體激光用于牙齦切除術，牙齦成形術和系帶矯正術，術后與傳統手術方法和電刀相比較，沒有明顯差異，可作為一種手術方式應用到口腔軟組織治療。與傳統手術相比，激光對口腔軟組織的切割、成形更加簡便，出血減少，可以提供更加清晰的手術視野，減輕了患者的疼痛，使術后護理更加簡單，組織創傷小，創口愈合更快，不易形成瘢痕。以上研究表明激光治療可以安全有效的應用于牙周手術治療，尤其對顯著降低牙齦的炎癥，促進軟組織的早期愈合，便于術者術中操作，減輕患者術后疼痛有明顯效果。

3．半導體激光用于治療牙周炎的伴發病變——牙本質敏感

牙本質敏感在臨床比較常見，有調查顯示59．81％的患者在潔治后會出現牙根的敏感，刮治和根面平整及牙周手術后，牙根敏感的情況更為常見。Hashim應用810nm的半導體激光治療牙周基礎治療后牙本質敏感的患者，第一組應用半導體激光照射30s，15min后牙本質敏感明顯減退，一周后牙本質敏感完全消失。第二組應用半導體激光照射1min，15min后牙本質敏感完全消失，一周后牙本質敏感癥狀未再出現。George將慢性牙周炎翻瓣術后牙本質敏感的患者分成兩組，試驗組使用810nm半導體激光治療牙本質敏感，對照組使用含氟牙膏治療牙本質敏感，牙本質敏感度使用氣體刺激和接觸刺激來評價，評價時間為治療前，治療后即刻，治療后2d，7d，14d，30d。試驗組和對照組基線水平無差異，治療15min及治療后15min到30min后，牙本質敏感度改善試驗組優于對照組。盡管治療只進行了1次，但是治療效果改善可以持續到30d。

李向新的臨床試驗表明對于刮治和根面平整治療后敏感的患者應用半導體激光治療和使用脫敏劑治療在治療后即刻治療效果沒有差異，但長期觀察效果，半導體激光的治療效果優于脫敏劑治療。牙本質敏感的病因是基于流體動力學理論和神經元理論。在牙周基礎治療或手術治療后，由于治療后炎癥消退或手術切除了部分牙齦或術后組織收縮，使得牙齦的保護性屏障減少導致牙根面的敏感度增加。激光治療牙本質敏感是由于激光照射后牙髓產生了大量的叔牙本質，可以生理性閉塞牙本質小管。低能量激光（軟激光）能直接作用于神經傳輸，對于高敏感的患者，半導體激光也可以產生非常好的治療效果。半導體激光的治療效果優于或等同于傳統的治療方法，如：硝酸鉀，氟化鈉，氟化亞錫和含氟涂料治療牙本質敏感。通過以上試驗可以表明應用810nm半導體激光可以有效治療牙周基礎治療和牙周手術治療后引起的牙本質敏感。

4．半導體激光的熱損傷

Falkenstein的體外實驗使用940nm半導體激光進行牙周治療，觀察產熱對牙髓的反應，上牙照射20s，下牙照射10s，激光強度為1．0W和1．5W，照射部位均為牙根的中1／3。照射后上牙溫度增加7．5℃ （1．0 W）和10．5℃ （1．5 W），下牙溫度升高與上牙比較下降1．5℃～3℃，試驗證明除了1．5W照射20s，其他情況半導體激光照射對牙髓均安全。

5．小結

半導體激光主要應用于牙周軟組織的治療，目前常用的半導體激光波長范圍為780～980nm。與傳統方法比，激光治療過程中不適感和疼痛感更少且震動感小，可減輕患者在口腔治療中的痛苦和恐懼感。激光照射可以切除和消融牙周組織，起到止血，光生物調節的作用，半導體激光照射后能破壞微生物，抑制微生物生長，達到抗菌效果。半導體激光還能促進傷口愈合，延遲上皮爬行，促進膠原合成，有利牙周手術后的牙周新附著。

半導體激光聯合牙周基礎械治療可以徹底清潔，去污，促進牙周基礎治療后的軟組織愈合。810nm半導體激光可以有效治療牙周基礎治療和牙周手術治療后引起的牙本質敏感。810nm半導體激光（0～0．5W，0～5s）聯合吲哚青綠可有效減少牙周袋中的牙齦卟啉單胞菌，伴放線聚集桿菌。但是，半導體激光治療仍存在一些缺點和未解決的問題，半導體激光的切割速度較慢，尤其遇到纖維組織，半導體激光具有不可預測的熱損傷。

目前，雖然關于半導體激光的研究比較多，但研究激光的波長，功率，照射時間等參數都不盡相同，所以，關于激光的研究仍需加大研究樣本量，找出最適合牙周治療的半導體激光的參數，更好的應用于臨床治療中。