光刻蝕

　　這是目前的CPU制造過(guò)程當(dāng)中工藝非常復(fù)雜的一個(gè)步驟，為什么這么說(shuō)呢？光刻蝕過(guò)程就是使用一定波長(zhǎng)的光在感光層中刻出相應(yīng)的刻痕，由此改變?cè)撎幉牧系幕瘜W(xué)特性。這項(xiàng)技術(shù)對(duì)于所用光的波長(zhǎng)要求極為嚴(yán)格，需要使用短波長(zhǎng)的紫外線和大曲率的透鏡。刻蝕過(guò)程還會(huì)受到晶圓上的污點(diǎn)的影響。每一步刻蝕都是一個(gè)復(fù)雜而精細(xì)的過(guò)程。設(shè)計(jì)每一步過(guò)程的所需要的數(shù)據(jù)量都可以用10GB的單位來(lái)計(jì)量，而且制造每塊處理器所需要的刻蝕步驟都超過(guò)20步（每一步進(jìn)行一層刻蝕）。而且每一層刻蝕的圖紙如果放大許多倍的話，可以和整個(gè)紐約市外加郊區(qū)范圍的地圖相比，甚至還要復(fù)雜，試想一下，把整個(gè)紐約地圖縮小到實(shí)際面積大小只有100個(gè)平方毫米的芯片上，那么這個(gè)芯片的結(jié)構(gòu)有多么復(fù)雜，可想而知了吧。

　　當(dāng)這些刻蝕工作全部完成之后，晶圓被翻轉(zhuǎn)過(guò)來(lái)。短波長(zhǎng)光線透過(guò)石英模板上鏤空的刻痕照射到晶圓的感光層上，然后撤掉光線和模板。通過(guò)化學(xué)方法除去暴露在外邊的感光層物質(zhì)，而二氧化硅馬上在陋空位置的下方生成。

　　監(jiān)測(cè)自動(dòng)濕刻蝕工具中的晶圓，該工藝可清除晶圓上多余的操作助劑或者污染物。

　　摻雜

　　在殘留的感光層物質(zhì)被去除之后，剩下的就是充滿(mǎn)的溝壑的二氧化硅層以及暴露出來(lái)的在該層下方的硅層。這一步之后，另一個(gè)二氧化硅層制作完成。然后，加入另一個(gè)帶有感光層的多晶硅層。多晶硅是門(mén)電路的另一種類(lèi)型。由于此處使用到了金屬原料（因此稱(chēng)作金屬氧化物半導(dǎo)體），多晶硅允許在晶體管隊(duì)列端口電壓起作用之前建立門(mén)電路。感光層同時(shí)還要被短波長(zhǎng)光線透過(guò)掩模刻蝕。再經(jīng)過(guò)一部刻蝕，所需的全部門(mén)電路就已經(jīng)基本成型了。然后，要對(duì)暴露在外的硅層通過(guò)化學(xué)方式進(jìn)行離子轟擊，此處的目的是生成N溝道或P溝道。這個(gè)摻雜過(guò)程創(chuàng)建了全部的晶體管及彼此間的電路連接，沒(méi)個(gè)晶體管都有輸入端和輸出端，兩端之間被稱(chēng)作端口。

　　重復(fù)這一過(guò)程

　　從這一步起，你將持續(xù)添加層級(jí)，加入一個(gè)二氧化硅層，然后光刻一次。重復(fù)這些步驟，然后就出現(xiàn)了一個(gè)多層立體架構(gòu)，這就是你目前使用的處理器的萌芽狀態(tài)了。在每層之間采用金屬涂膜的技術(shù)進(jìn)行層間的導(dǎo)電連接。今天的P4處理器采用了7層金屬連接，而Athlon64使用了9層，所使用的層數(shù)取決于最初的版圖設(shè)計(jì)，并不直接代表著最終產(chǎn)品的性能差異。

　　封裝測(cè)試過(guò)程

　　接下來(lái)的幾個(gè)星期就需要對(duì)晶圓進(jìn)行一關(guān)接一關(guān)的測(cè)試，包括檢測(cè)晶圓的電學(xué)特性，看是否有邏輯錯(cuò)誤，如果有，是在哪一層出現(xiàn)的等等。而后，晶圓上每一個(gè)出現(xiàn)問(wèn)題的芯片單元將被單獨(dú)測(cè)試來(lái)確定該芯片有否特殊加工需要。

　　而后，整片的晶圓被切割成一個(gè)個(gè)獨(dú)立的處理器芯片單元。在最初測(cè)試中，那些檢測(cè)不合格的單元將被遺棄。這些被切割下來(lái)的芯片單元將被采用某種方式進(jìn)行封裝，這樣它就可以順利的插入某種接口規(guī)格的主板了。大多數(shù)intel和AMD的處理器都會(huì)被覆蓋一個(gè)散熱層。在處理器成品完成之后，還要進(jìn)行全方位的芯片功能檢測(cè)。這一部會(huì)產(chǎn)生不同等級(jí)的產(chǎn)品，一些芯片的運(yùn)行頻率相對(duì)較高，于是打上高頻率產(chǎn)品的名稱(chēng)和編號(hào)，而那些運(yùn)行頻率相對(duì)較低的芯片則加以改造，打上其它的低頻率型號(hào)。這就是不同市場(chǎng)定位的處理器。而還有一些處理器可能在芯片功能上有一些不足之處。比如它在緩存功能上有缺陷（這種缺陷足以導(dǎo)致絕大多數(shù)的CPU癱瘓），那么它們就會(huì)被屏蔽掉一些緩存容量，降低了性能，當(dāng)然也就降低了產(chǎn)品的售價(jià)，這就是Celeron和Sempron的由來(lái)。

　　在CPU的包裝過(guò)程完成之后，許多產(chǎn)品還要再進(jìn)行一次測(cè)試來(lái)確保先前的制作過(guò)程無(wú)一疏漏，且產(chǎn)品完全遵照規(guī)格所述，沒(méi)有偏差。

　　以上就是CPU整個(gè)制作過(guò)程，相信大家一定看的很爽吧？而對(duì)于想了解CPU的朋友，這篇文章可以滿(mǎn)足您的需求了。但對(duì)于更深一層了解更為詳細(xì)的CPU制作原理，還需要查找一些專(zhuān)業(yè)的資料來(lái)研究，這里小編就不在一一解釋?zhuān)Ｍ蠹艺徑猓?/span>