1 晶振的等效電氣特性

　　(1) 概念

　　[1] 晶片，石英晶體或晶體、晶振、石英晶體諧振器

　　從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片。

　　[2] 晶體振蕩器

　　在封裝內(nèi)部添加IC組成振蕩電路的晶體元件稱為晶體振蕩器。

　　(2) 晶振等效電路

　　圖1. 晶振的等效電路

　　圖1 展示了晶振等效的電路。R是ESR串聯(lián)等效阻抗，L和C分別是晶振等效電感和等效電容。Cp是晶振的伴身電容，其極性取決于晶振的極性。

　　圖2 是晶振的電抗頻譜線。

　　圖2. 晶振的電抗頻譜線

　　根據(jù)圖 2，當晶振工作在串聯(lián)諧振狀態(tài)下時，電路就似一個純電阻電路，感抗等于容抗(XL=XC)。串聯(lián)諧振的頻率為：

　　當晶振工作在并聯(lián)諧振模式時，晶振表現(xiàn)為感性。該模式的工作頻率由晶振的負載決定。對于并聯(lián)諧振狀態(tài)的晶振，晶振制造商應該指定負載電容CL。在這種模式下，振動頻率由下式給出

　　在并聯(lián)諧振模式下，電抗線中fs到fa的斜線區(qū)域內(nèi)，通過調(diào)整晶振的負載，如圖2，晶振都可以振蕩起來。

　　2 晶振電路的設計

　　圖3所示為推薦的晶振振蕩電路圖。這樣的組成可以使晶振處于并聯(lián)諧振模式。反相器在芯片內(nèi)體現(xiàn)為一個AB型放大器，它將輸入的電量相移大約180°后輸出；并且由晶振，R1，C1和C2組成的π型網(wǎng)絡產(chǎn)生另外180°的相移。所以整個環(huán)路的相移為360°。這滿足了保持振蕩的一個條件。其它的條件，比如正確起振和保持振蕩，則要求閉環(huán)增益應≥1。

　　圖3. 晶振振蕩器設計電路

　　反相器附近的電阻Rf產(chǎn)生負反饋，它將反相器設定在中間補償區(qū)附近，使反相器工作在高增益線性區(qū)域。電阻值很高，范圍通常在500KΩ ~2MΩ內(nèi)。

　　圖示的C1，C2就是為晶振工作在并聯(lián)諧振狀態(tài)下得到加載電容CL的電容。關于最優(yōu)的加載電容CL的計算公式為：

　　這里CS是PCB的漂移電容（stray capacitance），用于計算目的時，典型值為5pf。現(xiàn)在C1和C2選擇出來滿足上面等式。通常選擇的C1和C2是大致相等的。C1和/或C2的數(shù)值較大，這提高了頻率的穩(wěn)定性，但減小了環(huán)路增益，可能引發(fā)起振問題。

　　R1是驅動限流電阻，主要功能是限制反相器輸出，這樣晶振不會被過驅動（over driven）。R1、C1組構成分壓電路，這些元器件的數(shù)值是以這樣的方式進行計算的：反相器的輸出接近rail-to-rail值，輸入到晶振的信號是rail-to-rail的60%，通常實際是令R1的電阻值和的C1容抗值相等，即R1 ≈ XC1。這使晶振只取得反相器輸出信號的一半。要一直保證晶振消耗的功率在廠商說明書規(guī)定范圍內(nèi)。過驅動會損壞晶振。

　　理想情況下，反相器提供180°相移。但是，反相器的內(nèi)在延遲會產(chǎn)生額外相移，而這個額外相移與內(nèi)在延遲成比例。為保證環(huán)路全相移為n360°，π 型網(wǎng)絡應根據(jù)反相器的延遲情況，提供小于180°的相移。R1的調(diào)整可以滿足這一點。使用固定大小的C1和C2，閉環(huán)增益和相位可隨R1變化。如果上述兩個條件均得到了滿足，在一些應用中，R1可以忽略掉。

　　一些芯片內(nèi)置了全部這些外部器件(Rf， R1， C1， and C2)，因此消除了電路設計師的煩惱。這種情況下，只要把晶振連接在XTAL和XTAL引腳上即可。

　　提示：

　　選擇ESR小的晶振，有利于解決起振問題。較小的ESR可以增加環(huán)路增益。

　　在PCB板上縮短線路可以減小漂移電容。這也有利于解決晶振起振和振蕩頻率的問題。

　　在工作的溫度下和工作的電壓范圍內(nèi)經(jīng)常性測試一下電路，以確保晶振起振和持續(xù)振蕩。必要的時候調(diào)整元器件的數(shù)值。

　　為了取得最好效果，晶振的設計，用至少0.4 Vdd（峰峰值）的電平驅動時鐘反相器。調(diào)節(jié)晶振不能滿足要求。為了獲得進一步的設計協(xié)助，請聯(lián)系晶振制造商。

　　為了優(yōu)化R1，我們推薦先計算C1和C2（前面已經(jīng)解釋過如何計算）。將R1替換成電位計，將其初始值設置到大約XC1。如果需要，調(diào)節(jié)電位計的設置，直到晶振起振并在穩(wěn)態(tài)條件下保持振蕩。